英特尔CEO盖尔辛格：美国制裁将使中国芯片制造落后10年

英特尔公司首席执行官帕特-盖尔辛格（Pat Gelsinger）在达沃斯世界经济论坛上发言时断言，由于美国对关键芯片制造部件的制裁，中国的半导体发展将比领先国家落后十年。

盖尔辛格解释说，中国现有的工具目前只能生产 14 纳米和 7 纳米芯片。相比之下，台湾的台积电、韩国的三星和美国的英特尔等公司正在准备在未来几年内采用更先进的工艺生产 3 纳米、2 纳米甚至更精密的半导体。预计台积电的 2 纳米芯片将应用于 2025 年上市的 iPhone 17。

针对中国在芯片领域的快速发展，美国颁布了相关管制措施，阻止中国获得最新芯片技术所需的工具。然而，美国并没有单独阻止中国，而是联合了盟友日本和荷兰的合作，这是该政策取得成效的关键因素。

ASML 是一家荷兰公司，也是世界上最大的光刻工具供应商，其光刻工具对生产 14 纳米以下半导体至关重要。此举是英特尔公司在芯片制造领域落后于台积电和三星之后，重新夺回领先地位的努力的一部分。

在达沃斯论坛上，盖尔辛格讨论了全球供应链的脆弱性，这一问题在COVID-19大流行期间显露无遗。他指出，数十年来的产业政策使芯片制造业集中在亚洲国家，而美国目前正试图通过《芯片法案》扭转这一趋势。这项立法旨在提高美国的技术自给自足能力。

去年，台积电创始人张忠谋承认，美国的制裁可能会让台积电暂时受益，但对此类措施的长期效力表示怀疑。他预计，制裁将使中国在芯片制造技术上落后数年。不过，他也指出，像美国这样的国家需要大量时间来发展自己的芯片制造能力。

美国官员乐观地认为，美国可以在十年内开始生产和封装最先进的半导体。相比之下，NVIDIA 的首席执行官认为这一目标可能需要 10 年或 20 年的时间。