长期以来，人们一直期待着非易失性内存能带来计算模式的转变，但这不可能很快实现。在最近的一次网络研讨会上，来自存储网络行业协会（SNIA）的业内人士表示，他们相信新技术将取代 DRAM 等成熟的内存技术，但这可能不会在本十年结束前实现。
在回答媒体和行业观察家的提问时，SNIA的Arthur Sainio、Tom Coughlin 和 Jim Handy 表示，持久性内存的速度已经达到了现代 DRAM 技术的水平，SK 海力士和美光的铪铁电技术就证明了这一点。不过，他们无法直接回答哪种新兴内存技术将最终取代客户端 PC 和服务器中的 DRAM。
虽然铁电存储器以快速写入周期而著称，但并不能保证它最终会胜出。这是因为 MRAM、FERAM 和 ReRAM 等多种新型存储器技术都在竞相取代 SRAM、NOR 闪存和 DRAM 等现有标准。
据专家称，MRAM 与其竞争对手相比具有很大的优势，因为其读取速度"很可能在不久的将来与 DRAM 的速度相媲美"。自旋轨道力矩和电压控制磁各向异性等新技术也正在缩短 MRAM 的写入延迟时间，使其成为有朝一日可能取代 DRAM 的主要候选产品之一。
然而，从 DRAM 过渡到持久性内存的一个主要障碍是制造成本。虽然 DRAM 的生产成本相对较低，但要使持久性内存在价格上具有竞争力，可能还需要数年时间。
妨碍采用持久性内存的另一个问题是，它目前使用的是 NOR 闪存和 SRAM 接口，而不是 DDR。不过，这种情况在未来可能会改变，因为"任何内存技术都不可能与任何总线紧密结合"。
顾名思义，非易失性内存即使在没有电源的情况下也能保留内容，这使它在某些应用中成为一笔巨大的财富。然而，专家们认为，尽管持久性内存的优势显而易见，但在不久的将来，它的广泛应用还面临着许多障碍。从目前的情况来看，我们可能不会在 2030 年代初之前过渡到这种新技术，"但也可能比那要晚得多"。
