十多年前，惠普公司将电阻式RAM技术（也被称为ReRAM或RRAM）带到了公众面前，该技术在很大程度上被业界忽视了。为数不多的商业实施方案未能达到预期，但一家英国初创公司在成功开展筹资活动后，现在正计划再次尝试。
Intrinsic Semiconductor Technologies是一家英国初创公司，由伦敦大学学院（UCL）的研究人员于2017年成立。该公司正在研究一种新的ReRAM技术，它现在已经收集了足够的资金，以将非易失性RAM的失败承诺转化为创新、单芯片计算解决方案的适当商机。
ReRAM是忆阻器技术的商业实现，它在1971年被描述为理论上仅次于电阻、电容和电感的四种基本电气元件的"缺失环节"。一个"记忆系统"是一个具有记忆能力的电阻器，因为它可以在施加电流时改变电阻，并且可以在切断电源时记住其状态。
在理论上，ReRAM芯片可以提供快速的数据存储能力，同时具有低能量需求。惠普公司在十多年前曾试图建立基于记忆体的商业上可行的解决方案，但该公司最终失败了。像3D XPoint这样的竞争性RRAM技术也是昙花一现，承诺的性能水平很高，但在早期的商业预期中却没有兑现。
Intrinsic公司表示，其新实现的ReRAM技术几乎解决了早期记忆性解决方案的所有问题。该公司在由Octopus Ventures和其他投资者领导的一轮融资中获得了700万英镑（850万美元），另外还有英国政府的创新机构（Innovate UK）授予的100万英镑。
在UCL对记忆体的十多年研究的基础上，Intrinsic的ReRAM技术似乎比以前的解决方案更好，因为它可以用二氧化硅等标准半导体材料制造。Intrinsic公司的ReRAM是CMOS投诉，对制造公司来说应该更具成本效益，它们可以使用现有机器来制造ReRAM内存芯片。
这家英国公司还说，它的ReRAM解决方案更容易与CPU中常见的逻辑电路集成，而传统的闪存则不能提供同样的集成便利。据Intrinsic首席执行官Mark Dickinson称，新的RRAM技术有可能"成为下一代边缘和物联网计算机的骨干"，就在"数据饥渴的智能应用"变得越来越普遍的时候。