DUV光谱中的激光器已经在科学技术中有许多应用,如缺陷检测、光谱学、光刻和计量学。传统上,氟化氩(ArF)激光器已被用于产生高功率193nm激光器,用于光刻等应用。
DUV激光器的其他应用包括微电子设备的生产,半导体集成电路,以及用于进行眼科手术的医学。在这些应用中,它通常被称为准分子激光器。
然而,这些激光器不是完全相干的,因此不能用于更敏感的应用,如干涉光刻,在这种应用中,精细的特征必须以阵列的形式印刷。如此精细的应用需要更加相干的激光器,这为研究人员制造混合准分子激光器提供了机会。
什么是混合准分子激光器?
为了达到相干性要求,科学家们一直在考虑用固态种子代替气体(ArF)振荡器,使其成为混合激光器。除了提高相干性外,该设计还旨在提高激光的光子能量,使其甚至可以与碳化合物一起使用,并且产生最小的热影响。
为了实现这一目标,193nm种子激光器的线宽需要保持在4千兆赫以下。声明称,这是通过使用目前可用的固态激光技术看到的对干涉至关重要的相干长度。
在DUV激光器上取得了什么成果?
中国科学院的研究人员通过使用LBO晶体实现了与193纳米混合准分子激光器相同的线宽。在他们的装置中,研究人员使用了一种复杂的两阶段和频率产生过程来实现60毫瓦(60兆瓦)的激光输出。
该装置包括两个激光器,一个是258纳米,另一个是1553纳米。这些激光器分别来自镱混合激光器和掺铒光纤激光器,最终形成2mm×2mm×30mm Yb: YAG体晶体,提供所需的激光输出。
由此产生的DUV激光脉冲持续时间为4.6纳秒(ns),重复频率为6千赫兹(kHz),线宽约为640兆赫(MHz)。
值得注意的是,193nm激光器及其伴随的221nm激光器的输出功率为60mW,这是使用LBO晶体产生的最高功率。
221-193nm转换效率为27%,258 - 193nm转换效率为3%,也创下了新的基准。
这一研究证明了“用固态激光器泵浦LBO的可行性,可以可靠有效地产生193nm的窄线宽激光,并为使用LBO制造成本效益高的大功率DUV激光系统开辟了一条新途径。”
因此,研究人员相信,LBO晶体可以用于产生更多的DUV激光器,输出功率从几毫瓦到几瓦不等,为这些波长开辟了进一步的途径。
这项研究结果发表在《高级光子联系》(Advanced Photonic Nexus)杂志上。