随着电子设备不断小型化和性能要求的提升,芯片中的晶体管数量持续增加,尺寸日益缩小,同时也带来了新的技术挑战,尤其是在介质材料方面。电子芯片中的介质材料主要起到绝缘的作用,但当传统的介质材料厚度减小到纳米级别时,其绝缘性能会显著下降,导致电流泄漏。这不仅增加了芯片的能耗,还导致发热量上升,影响了设备的稳定性和使用寿命。为了解决这一难题,科研团队开发了一种创新的金属插层氧化技术。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰介绍,以前的介质材料主要是用非晶的材料来做,我们这次发明主要是发明了晶体的介质材料,通过插层氧化的技术对单晶铝进行氧化,实现了单晶氧化铝作为介质材料,它在1纳米下能够实现非常低的泄漏电流。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员田子傲介绍,这个氧化铝它就是蓝宝石,它虽然是人工合成的,但是它的晶体结构,它的介电特性,它的绝缘特性都是跟我们现实生活中的宝石的性能是一样的。这个就是我们最典型的一个器件结构,下面是锗的半导体材料,中间是介质,上面是金属,这是中间薄薄的一层,大概只有2个纳米,它就是我们人工合成的蓝宝石,可以看到它的它这个界面是非常清晰的,非常光滑的界面也有助于它限制漏电流的产生。
据介绍,通过采用这种新型材料,科研团队目前已成功制备出低功耗芯片器件,续航能力和运行效率得到大幅提升。这一成果不仅对智能手机的电池续航具有重要意义,还为人工智能、物联网等领域的低功耗芯片发展提供了有力支持。