新工厂于2020年下半年开始量产面向移动设备的第三代10纳米LPDDR5 DRAM,制造工艺中运用了EUV光刻设备,LPDDR是低功耗双数据速率的缩写。
除了DRAM生产线外,平泽P2还拥有超微晶圆代工生产线和下一代V-NAND闪存生产线,计划于2021年投产。
三星电子一位高层表示,按照最初的计划,平泽P2的所有生产线将在2021年下半年投产。
业内人士表示:"据我所知,平泽P2从2021年开始就一直在提高运转率"。
新工厂于2020年下半年开始量产面向移动设备的第三代10纳米LPDDR5 DRAM,制造工艺中运用了EUV光刻设备,LPDDR是低功耗双数据速率的缩写。
除了DRAM生产线外,平泽P2还拥有超微晶圆代工生产线和下一代V-NAND闪存生产线,计划于2021年投产。
三星电子一位高层表示,按照最初的计划,平泽P2的所有生产线将在2021年下半年投产。
业内人士表示:"据我所知,平泽P2从2021年开始就一直在提高运转率"。