据外媒报道，全球最大存储芯片制造商三星电子周二宣布，该公司开始使用极紫外光刻（EUV）技术批量生产业界最小的 14 纳米DRAM芯片，这有助于其巩固在存储行业的领导地位。继去年 3 月出货业界首款 EUV DRAM 之后，三星电子已将 EUV 层的数量增加到 5 层，为其DDR5 解决方案提供当今最精细、最先进的 DRAM 生产工艺。
DDR5 是下一代 DRAM 标准，与 DDR4 相比，它具有速度快、密度高、功耗低的特点。它还针对大数据、人工智能 （AI） 和机器学习等数据密集型应用进行了优化。
三星电子表示 ，EUV 技术减少了多图案绘制中的重复步骤，提高了图案绘制的准确性，从而实现了更好的性能和更高的产量，并缩短了开发时间。
三星电子还称，即将开始量产 DDR5， 并预计最新的工艺将使生产率提高 20%， 能耗降低近 20%。 利用最新的 DDR5 标准，三星 14 纳米 DRAM 将帮助解锁前所未有的高达 7.2Gbps 的速度，这是 DDR4 速度的 2 倍多。
三星电子高级副总裁兼 DRAM 产品与技术负责人 Lee Joo-Young 称：“通过专注关键的图形技术创新，我们已经引领了 DRAM 市场近 30 年。今天，三星用多层 EUV 实现了另一个技术里程碑，这是传统的氟化氩 (ARF) 工艺所不可能实现的壮举。”
他补充说：“在这一进步的基础上，我们将继续提供差异化程度最高的内存解决方案，充分满足 5G、AI 和元宇宙等数据驱动型领域对更高性能和容量的需求。”
