据国外媒体报道，在2月份有报道称台积电的3nm工艺遇到良品率难题，可能影响到AMD、英伟达等部分客户的产品路线图之后，又出现了三星电子3nm工艺的良品率远不及预期的消息。韩国媒体的报道显示，三星电子3nm制程工艺的良品率，才到10%-20%，远不及公司期望的目标，在提升3nm工艺的良品率方面，也陷入了挣扎。
资料图（三星与 IBM 合作研发 3nm GAAFET 晶体管工艺）
三星电子和台积电是目前已顺利量产5nm工艺，并在推进3nm工艺量产事宜的晶圆代工商，与台积电继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构不同，三星电子3nm工艺采用的是全环绕栅极晶体管（GAA）技术。
在全球晶圆代工市场份额连续多年远不及台积电的三星电子，对他们的3nm制程工艺寄予厚望。在去年6月份就曾有报道称，三星电子的3nm工艺已成功流片，距离量产又更近了一步，计划在今年6月份开始量产。
不过，三星电子3nm工艺的良品率远不及预期，还只是外媒的报道，并不是三星方面公布的消息。但如果三星电子3nm工艺的良品率，真如外媒报道的那样远低于目标，可能也会影响到最终的交付量，进而影响相关厂商的产品路线图。
值得注意的是，在今年2月份曾有报道称，三星重要客户高通明年将推出的3nm工艺应用处理器，将交由台积电代工，同时由于4nm工艺的良品率低，高通也已将部分骁龙8 Gen 1交由台积电代工，不再由三星电子独家代工。