在7nm和5nm制程工艺的量产时间上基本能跟上台积电节奏的三星电子，在更先进的3nm制程工艺上有望先于台积电量产，有报道称他们正推进在二季度量产。外媒的报道显示，三星电子方面已经宣布，他们早期3nm级栅极全能（3GAE）工艺将在二季度量产。三星电子宣布的这一消息，也就意味着业界首个3nm制程工艺即将量产，将是首个采用全环绕栅极晶体管（GAA）的制程工艺。
三星电子的芯片代工业务部门，在他们的设备解决方案这一部门之下，这一部门囊括了三星电子的存储芯片等半导体业务。
而在上周四发布的一季度财报中，三星电子给出的设备解决方案二季度展望中，也曾提到3nm制程工艺。
三星电子在二季度的展望中提到，他们的技术领先将通过首个大规模量产的全环绕栅极晶体管3nm工艺进一步加强，他们也将扩大供应，确保获得全球客户新的订单，包括美国和欧洲客户的订单。
三星电子和台积电是目前在推进3nm工艺量产的两大晶圆代工商，但两家公司在技术路线上并不相同，台积电继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构，三星电子采用的是全环绕栅极晶体管（GAA）技术。
在3nm之前的多项制程工艺上，三星电子在量产时间方面虽略晚于台积电，但基本能跟上台积电的节奏，不过由于在良品率方面有较大差距，加之没有苹果的订单，因而三星电子在全球晶圆代工市场的份额，远不及台积电。多家机构的数据显示，台积电近几个季度在全球晶圆代工商市场的份额，超过了50%，远高于其他厂商。
在全球晶圆代工市场的份额与台积电有较大差距的三星电子，对他们的3nm工艺也是寄予厚望。如果他们的3nm工艺能在二季度量产，就将先于台积电量产。在4月14日的一季度财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家再次表示，他们的3nm工艺量产计划不变，正按计划推进在下半年量产。