在几周前宣布开启 3nm 环栅晶体管芯片生产后，这家韩国电子科技巨头又将于下周展示首款 GAA 芯片。与当前 5nm 工艺相比，3nm GAA 可在收缩尺寸的同时，带来更低的功耗和更高的性能，未来的 Galaxy S 等旗舰设备有望获益于此。同时竞争对手台积电也于本月开启了 3nm FinFET 生产，但 GAA 芯片要到 2025 年推出。
目前尚不清楚三星 3nm GAA 会从台积电那边挖来多少客户，但从纸面参数来看，其较 5nm 工艺的升级迭代还是相当亮眼的。
对于移动设备来说，环栅晶体管将带来能效的显著提升和尺寸缩进，从而延长电池的续航。
此外 GAA 的设计灵活性，意味其非常有利于设计技术协同优化（DTCO），以及提升功耗、性能和面积（PPA）优势。
具体说来是，初代 3nm 工艺比 5nm 节能高达 45%，提升 23% 性能、并减少 16% 的芯片面积。
而二代 3nm 工艺有望降低 50% 功耗，性能提升 30%、并缩减 35% 的芯片面积。
三星仍在努力提升其 3nm 芯片的产能以实现盈利
即便如此，三星仍面临着台积电的直接挑战。当前苹果 iPhone、iPad、Mac 设备上使用的所有 A / M 系列芯片，都是交给 TSMC 代工的。
更尴尬的是，即使 2022 下半年被诸多 Android 旗舰智能机提供支撑的高通骁龙 8 Gen 1 升级款（Snapdragon 8+ Gen 1），也从三星换成了台积电代工。
据悉，三星原本计划在 Galaxy S22 上采用自研旗舰芯片，但可惜遇到了过热的问题，最终只能节流以缓和性能体验。
至于未来是否还有基于 3nm GAA 环栅晶体管技术的新规划，目前暂不得而知。
最后，来自韩国的一份报告称，三星已安排于 7 月 25 日举办首款 3nm 芯片的发布仪式。
然而首个买家却是一家加密货币挖矿企业，这类客户显然难以帮助三星从台积电那里抢来更多业务。