日本和美国公司已经合作，在未来几年内制造2纳米半导体。在日本领导层的帮助下，他们希望能与台湾的行业领导者台积电竞争。一家公司的总裁最近透露了2纳米芯片的路线图。本周，日本芯片企业Rapidus的总裁Atsuyoshi Koike告诉日经亚洲，该公司计划在2025年上半年前建立一条2纳米半导体的原型生产线。
如果成功，该路线图将使该公司紧随行业巨头台湾半导体制造公司（TSMC）之后，后者也希望在2025年进入2纳米的大规模生产。
Rapidus和IBM在12月宣布合作，进一步开发和制造IBM在2021年首次公布的2纳米半导体制程。该工艺通过将超过500亿个晶体管装入指甲大小的芯片，这比7纳米节点的性能提升45%。它还可以提供与7纳米相同的性能的同时减少75%的能耗。IBM这家美国科技巨头现在并不自己生产芯片，通常它将其设计授权给合作伙伴。
Koike说，日本公司的长期目标是在2020年代末的某个时候实现2纳米的大规模生产，这项努力是日本和美国私营公司合作的一部分，日本政府的经济产业部提供了部分资金。
集团希望在2025至2027财年之间建立日本第一批2纳米制造设施，最初的一波半导体可能会用于量子计算机、数据中心、旗舰智能手机，以及可能的军事应用。
旗舰智能手机也是台积电N3 3纳米节点的主要着眼点，该节点在去年年底前全面投入生产。该公司早期N3应用的主要客户是苹果公司，它将把这些芯片用于其计划在今年晚些时候推出的iPhone 15。
同时，英特尔希望在2024年首次推出其20Ångström（20A），基本上可以被看成重新命名的2纳米工艺以赶上台积电，即将推出的节点的第一批客户将是亚马逊和骁龙芯片制造商高通。
排在台积电之后的第二大厂商三星于6月开始制造3纳米芯片，并计划在2024年进行改进设计。与台湾的竞争对手一样，该公司希望在2025年开始2纳米的大规模生产。10月，三星披露了一份路线图，计划到2027年达到1.4纳米的级别。