SK hynix宣布了世界上第一款12层HBM3内存，与上一代相比，每个堆栈的容量提高到24GB。据SK hynix称，12层HBM3堆栈与之前的8层HBM3堆栈相比，内存容量提升了50%，后者提供高达16GB的内存容量。虽然还没有宣布使用这种内存的新产品，但NVIDIA和AMD有可能在今年晚些时候使用新的内存设计，为其现有的Hopper和Instinct产品提供更高的容量，客户对样品的性能评估正在进行中。
"继去年6月量产全球首款HBM3之后，公司成功开发了24GB封装产品，该产品的内存容量比之前的产品增加了50%，"SK hynix说。"我们将从今年下半年开始向市场供应新产品，以配合人工智能驱动的聊天工具行业对高端内存产品不断增长的需求。"
SK hynix的工程师通过在最新产品中应用先进的大规模回流模塑（MR-MUF）技术，提高了工艺效率和性能稳定性，而硅通孔（TSV）技术将单个DRAM芯片的厚度减少了40%，实现了与16GB产品相同的堆叠高度水平。
"SK hynix通过其在后端工艺中使用的领先技术，能够持续开发一系列超高速和高容量的HBM产品，"SK hynix封装和测试主管Sang Hoo Hong说。"公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备，以进一步巩固其在人工智能时代的尖端DRAM市场的领导地位。"
由SK hynix在2013年首次开发的HBM，因其在实现高性能计算（HPC）系统中运行的生成式人工智能中的关键作用，已经引起了存储芯片行业的广泛关注。