DRAM内存进入20nm节点以内已经有四五年时间了，三星、SK海力士及美光三大巨头开发了多代1x nm工艺的内存，作为一哥的三星从14nm节点开始引入EUV工艺，前不久还正式量产了12nm工艺的内存。
新内存单颗容量16Gb(2GB)，最高速度7.2Gbps(等效频率7200MHz)，相当于每秒可处理两部30GB的超高清电影，对比上代功耗降低了多达23％，同时晶圆生产率提高了20％。
12nm之后呢？去年有消息称三星还在开发11nm工艺的内存，但即便11nm内存搞定了，内存行业迟早还要面对10nm以下的内存如何制造的难题，这就需要全面改进内存芯片架构了。
日前韩国媒体爆料称，三星已经组建了一个团队，负责研发4F2结构（下图中WL与BL的乘积，数字越小意味着面积越小）的新一代DRAM内存芯片，与现在的6F2结构相比，即便工艺不变，面积也能减少30%，进一步提高存储密度。
按照三星的想法，4F2架构的内存芯片有望成为10nm以下工艺节点的关键，工艺提升+架构改进双管齐下进一步推进内存芯片容量、性能等提升。
不过4F2结构的内存芯片早在10多年前就有研发了，刚进入DDR3时代就有厂商计划使用，只是一直没有取得实际的进展，制造难度也是非常大的。
除了4F2结构的内存之外，其他厂商还在计划别的技术路线，SK海力士的目标就是3D DRAM内存，但是这些新技术都有制造成本高的问题，需要时间来解决。