比利时微电子研究中心 (IMEC) 、阿斯麦 (ASML) 共同宣布，双方将在开发先进高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻试验线的下一阶段加强合作。按照ASML的说法，2025年开始，客户就能从数值孔径为0.33传统EUV多重图案化，切换到数值孔径为0.55 High-NA EUV单一图案化，降低制程成本，提高产量。
Fouquet表示，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W指日可待。
到2030年，使用High NA EUV的多重图案将与单一图案一起完成，以提高产量，并降低制程成本，需要更高数值孔径的EUV曝光（NA=0.75）。
DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技术形成图案的每个晶体管成本都不断变化，考量到新技术价格一定高于EUV每套3亿美元，High-NA EUV价格将非常可观，但仍取决于客户要求和开发成本。
在这之前，光刻机大厂ASML高管对外表示，半导体业只有通力合作，建立完全自主的产业链，即使并非不可能也会极其困难。
