据电子时报报道，外界虽不看好英特尔芯片制造进展，但2021年美国国防部提出的“RAMP-C”计划，一开始就与英特尔签下代工协议，将使用Intel
18A技术开发和生产芯片。此前外媒报道称，英特尔已完成其Intel 18A（1.8nm级）和Intel
20A（2nm级）制造工艺的开发，这些工艺将用于制造公司自己的产品，以及为其英特尔代工服务（IFS）部门的客户生产的芯片。
预计Intel 20A将使英特尔超越台积电和三星代工厂等竞争对手，英特尔计划在2024年上半年开始使用该节点。
台媒报道称，若英特尔先进制程与封装技术蓝图按既定计划进行，不仅2024年超越三星电子目标达成，台积电延迟至2025年量产的美国新厂，也将面临美国政府订单分食的压力。
此外，若英特尔计划实现，半导体与PC、服务器产业将有重大变化。
英特尔指出，Intel 18A制程节点先在内部逐步提升产能与解决制程问题，进而大幅降低外部代工客户的风险。
半导体厂商表示，肩负美国制造重任的英特尔取得美国支持，RAMP-C计划将使用Intel 18A技术开发和生产芯片，也就是2025年后将量产。
先前外界认为，台积电美国厂难获利，必须仰赖美国政府订单，应该也取得了美方长约承诺，才会决定建设2座4/3nm制程新厂。然而英特尔以更先进的Intel 18A制程抢下美国政府等众多订单，未来或将改变代工市场格局。