至少根据韩国的报道，三星似乎准备在300多层NAND闪存的竞争中击败SK海力士。《首尔经济日报》（Seoul Economic Daily）在独家报道中称，三星将在2024年生产出300多层的V-NAND（V代表垂直或3D NAND）芯片，因此，三星可能会比SK海力士多一年的时间，这取决于三星能够多快交付产品。
目前，三星最先进的堆叠式 NAND 是 236 层产品，比美光和 YMTC 多四层，但比 SK 海力士少两层。
在《首尔经济日报》的新闻报道中，最引人注目的是与 SK 海力士的三层堆叠三明治不同，三星显然将坚持使用两层堆叠。这意味着三星的目标是每层堆叠超过 150 层的 NAND，这在产量方面似乎要冒很大的风险。堆叠越高，堆叠失败的几率就越大。
但三星也许已经找到了解决这一潜在问题的办法。由于现代 3D NAND 依赖于通孔硅，因此与过去使用线键合相比，更容易制造更密集的堆栈，但即便如此，三星似乎仍要冒很大的风险。
尽管如此，考虑到目前的低需求和进一步减产的消息，三星利用其晶圆厂来测试这种新的、堆叠密度更高的 NAND也许是个不错的时机。三星的路线图要求在 2030 年之前生产出 1000 多层的 V-NAND 产品，但实现这一目标的道路似乎仍然漫长而复杂。