台积电认为英特尔代工厂在未来几年内不会超越他们，因为该公司透露其 3nm 工艺与英特尔的 18A 节点相当。因为我们大多数人都知道"工艺缩小"会带来各自的性能提升，而在这种情况下，英特尔的 18A 采用的节点比台积电的 3nm 小。但现在，让我们看看台积电首席执行官魏哲家在英特尔与台积电 2023 年第三季度财报电话会议上的发言：
事实上，我们不会低估或轻视任何竞争对手。尽管如此，我们的内部评估表明，我们的 N3P -- 现在，我再重复一遍，N3P 技术 -- 与竞争对手的 18A 技术相比，PPA 相当，但上市时间更早，技术成熟度更高，成本也更低。
事实上，让我再重复一遍，我们的无背面电源 2 纳米技术比 N3P 和 18A 都更先进，而半导体行业最先进的技术将在 2025 年推出。
从中可以看出，这家台湾巨头对英特尔代工厂取得的进步毫不介意。此外，台积电对其 3 纳米（N3P）工艺充满信心，尽管它将采用更传统的电源传输方式和晶体管技术。现在最大的问题是，既然英特尔在即将推出的英特尔 18A 工艺中明确采用了更先进的方法，台积电怎么能做出这样的声明呢？很可能这要归结于两家代工厂各自制造工艺的"成熟度"。
英特尔 18A 工艺将采用 RibbonFET 晶体管和新的"PowerVia"传输方式，预计将显著提高能效。据透露，采用 18A 工艺后，代际改进幅度可达 10%，这在制造行业是一个很高的数字。在芯片开发中使用英特尔 18A 工艺确实可以提高性能数据，使 ARM 等潜在客户处于竞争地位。
台积电的声明表明，该公司目前处于有利地位，不必过于担心来自行业的竞争。这完全是因为台积电长期以来一直占据着半导体行业的王座，并不断获得全球最大科技公司的订单。另一方面，英特尔在该行业相对较新，它希望通过英特尔 18A 和 20A 等工艺挑战台积电的市场份额，而英特尔 18A 和 20A 将比台积电计划的类似工艺更早亮相。
我们现在还不能妄下结论，一旦这些工艺真正应用到主流行业产品中，性能数据就会显现出来。