服务器大容量 RDIMM 的主要途径是使用硅通孔 (TSV) 对 DRAM 层进行 3D 堆叠 (3DS)。然而，这给封装带来了巨大挑战（导致成本上升），而且能耗效率也不高。对大容量 RDIMM 的需求主要是由于用于生成式人工智能的大型语言模型（LLM）的突然出现和 CPU 核心数的不断增加，这两者都需要大量的 DRAM 才能满足性能要求。考虑到这些因素，美光正在推出 128 GB DDR5 RDIMM，其运行速度最高可达 8000 MT/s，预计将于 2024 年量产。
美光公司最近开始利用其经过验证的成熟 1 β 技术制造的单片32 Gb DDR5 颗粒。与标准的 JEDEC 规格相比，这种新芯片的位密度提高了 45%以上，能够达到 8000 MT/s，同时还能以更积极的时序延迟运行。该公司声称，与竞争对手的 3DS TSV 产品相比，它的能效提高了 24%，更快的运行速度也有助于加快人工智能训练时间。避免使用 3DS TSV 可以让美光更好地优化数据输入缓冲器和关键 I/O 电路，同时减少数据线上的引脚电容。这些都有助于降低功耗和提高速度。
得益于 CMOS 工艺的进步和阵列效率的提高，美光的单片芯片密度每 3 年左右就会翻一番。该公司认为，随着技术的不断进步，未来实现 48 Gb 和 64 Gb 单片机的前景十分明朗。美光公司还宣称，其 1 β 节点已领先于竞争对手实现量产，并在公司历史上实现了最快的良率成熟。采用 1β DRAM 的双芯片封装和高外形尺寸 (TFF) 模块有望在不久的将来实现 1TB 模块。
在宣布采用 1 β 技术的 128 GB RDIMM 的同时，该公司还为即将推出的产品制定了路线图。HDM 和 GDDR7 预计将主导对带宽要求较高的应用，而 RDIMM、MCRDIMM 和 CXL 解决方案则将用于需要大容量的系统。LPDDR5X 和 LPCAMM2 解决方案最高可达 192 GB，预计最早将于 2026 年出现在功耗敏感型系统中。