迄今为止，骁龙8 Gen3的一系列功能给人留下了深刻印象，这些功能主要集中在CPU和GPU性能的提升，以及对硬件加速光线追踪、人工智能等的支持。然而，高通公司的最新 SoC 要想在与 Galaxy 的骁龙 8 Gen 2 的竞争中取得可观的优势，就必须提高其最大功耗，这反过来又对其效率产生了负面影响。让我们看看最新的细节和性能结果。
与 Galaxy 的骁龙 8 Gen 2 一样，骁龙 8 Gen 3 也采用了单个高性能核心，但今年高通另辟蹊径，提高了所有 Cortex-A720 核心的时钟速度，这将有助于提升 SoC 的多核性能。遗憾的是，X网友Golden Reviewer在搭载骁龙8代3的小米14 Pro上进行了SPECint06大核基准测试，发现虽然后者获得了69.28分，比超频后的骁龙8 Gen2的60.86分高出13%，但却是以功耗大大提升为代价的，后者的功耗达到了6.27瓦。
这一数字比 Galaxy 8 代骁龙 2 的功耗高出 28%，最高功耗为 4.90 瓦，每瓦性能得分高于骁龙 8 Gen 3。
这样一来，普通版骁龙 8 Gen 2 的能效甚至比骁龙 8 Gen 3 更高，这暗示高通公司今年坚持使用台积电的 4 纳米"N4P"工艺可能已经达到了极限，不得不通过提高功耗来弥补性能差异。这些变化会导致温度升高、电池续航迅速缩短以及其他不利因素。