据TrendForce集邦咨询最新HBM市场研究显示，为了更妥善且健全的供应链管理，英伟达正规划加入更多的HBM供应商。其中，三星的HBM3（24GB）预期于今年12月在NVIDIA完成验证。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应，如今三星、美光都将加入。这也意味着，三家存储龙头都将为英伟达供应HBM。
而HBM3e进度依据时间轴排列如下表所示：
美光已于今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA样品、SK海力士已于今年8月中提供8hi（24GB）样品，三星则于今年10月初提供8hi（24GB）样品。预期2024年第一季完成HBM3e产品验证。
HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，属于图形DDR内存的一种，通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM，与GPU通过中介层互联封装在一起。
HBM的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。且CPU处理的任务类型更多，且更具随机性，对速率及延迟更为敏感，HBM特性更适合搭配GPU进行密集数据的处理运算。英伟达新一代AI芯片，均搭载HBM内存。
HBM产品问世至今，HBM技术已经发展至第四代，分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，第五代HBM3e已在路上。
四代HBM规格对比
至于下一代HBM新品HBM4（第六代），在堆栈的层数上除了现有的12hi (12层)外，也将再往16hi (16层)发展。
预计，HBM4 12hi将于2026年推出，而16hi产品则于2027年问世。
据悉，在HBM4中，将首次看到最底层的Logic die（又名Base die）将首次采用采用12nm制程晶圆，该部分将由晶圆代工厂提供，使得单颗HBM产品需要晶圆代工厂与存储器厂合作。