随着半导体制造商巩固其 3 纳米制程并加紧向 2 纳米制程的竞争，台积电和英特尔最近就哪家公司将在未来几年内拥有更优越的节点展开了激烈的争论。台积电对自己目前的发展道路充满信心，但英特尔的目标是抢先进入 2 纳米工艺，重新确立在半导体行业的主导地位。
英特尔首席执行官帕特-盖尔辛格（Pat Gelsinger）声称，尽管英特尔即将推出的 18A 工艺节点（基本上是 1.8 纳米）比台积电的 2 纳米芯片早一年推出，但其性能可能超过台积电的 2 纳米芯片。这一言论与台湾竞争对手最近的说法相矛盾。盖尔辛格是在接受《巴伦周刊》采访时发表上述言论的。
他不确定一个节点是否会明显优于另一个节点，但他对公司的发布窗口持乐观态度。该媒体将英特尔与台积电的竞争置于美国试图在与中国的紧张关系中确保半导体供应的背景之下。作为市场领导者，台积电为苹果公司的 iPhone 15 和 M3 Mac 处理器提供 3nm 芯片。
该公司声称，即将推出的优化 3 纳米节点 N3P 将达到与英特尔 18A 相当的功耗性能。这家台湾巨头预计将在 2024 年下半年实现 N3P 的量产--大约与 20A（2 纳米）和 18A 同时出现。
此外，台积电相信其计划于 2025 年推出的 2 纳米 N2 节点将超越 N3P 和 18A。根据该公司首创的 3 纳米工艺模式，苹果公司可能会优先获得 N2 节点，并将其用于 iPhone 17 Pro。
盖尔辛格对 20A 和 18A 充满信心，主要是因为它们采用了 RibbonFET 架构--该公司采用了全栅极 (GAA) 晶体管和背面功率传输技术。这些技术对于制造 2 纳米芯片的公司来说至关重要，可以在降低功率泄漏的同时实现更高的逻辑密度和时钟速度。与此同时，台积电的 N3P 和其他即将推出的 3nm 节点将继续使用成熟的 FinFET 架构，直到英特尔一年后的 N2 节点转向 GAA。
英特尔和台积电并不是唯一准备制造 2 纳米半导体的公司。三星也希望在 2025 年进入 2 纳米量产，而日本制造商 Rapidus 则计划在 2025 年推出原型，并在 2027 年开始量产。