除了 37 Gbps GDDR7 内存外，三星电子还准备在 2024 年 IEEE-SSCC 上展示其他几项内存创新。首先，该公司将展示新型 280 层 3D QLC NAND 闪存，密度为 1 Tb，可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为 28.5 Gb/mm²，速度为 3.2 GB/s。
目前为旗舰 NVMe SSD 提供动力的最快 3D NAND 闪存类型的 I/O 数据传输速率大约为 2.4 GB/s。
即将到来的 2024 年 ISSCC 日程表概述了高速内存的展示计划，其中包括基于三星和 SK Hynix GDDR7 规格的 37 Gb/s 和 35.4 Gb/s 变体。两家公司都打算利用创新的 PAM3 和 NRZ 信号技术，在图形存储器领域取得进步。
虽然 GDDR7 内存（速度高达 32 Gb/s）已经正式发布，但三星和海力士正在以更快的内存开发速度进一步突破界限。美光（Micron）也加入了这场竞争，宣布致力于开发 36 Gb/s 的 GDDR7 内存，预计最早将于 2026 年投放市场。在这种竞争态势下，三星和海力士将首先推出速度稍低的模块，很可能在稍后阶段逐步推出 35 Gb/s 模块。
接下来是新一代 DDR5 内存芯片，其数据传输率为 DDR5-8000，密度为 32 Gbit（4 GB）。该芯片采用对称马赛克 DRAM 单元架构，基于三星专为 DRAM 产品优化的第 5 代 10 纳米级代工节点制造。
该芯片令人印象深刻的是，它允许 PC 内存供应商以 DDR5-8000 的速度构建 32 GB 和 48 GB DIMM（单排配置），以及 64 GB 和 96 GB DIMM（双排配置）（前提是平台能很好地使用双排的 DDR5-8000）。
内存速度和带宽一览：
[GDDR6/X] 256-bit @ 23 Gbps: 736 GB/s RTX 4080 SUPER
[GDDR6] 384-bit @ 20 Gbps: 960 GB/s RX 7900 XTX
[GDDR6/X] 384-bit @ 21 Gbps: 1.00 TB/s RTX 4090
[GDDR6] 256-bit @ 24 Gbps: 768 GB/s
[GDDR6] 384-bit @ 24 Gbps: 1.15 TB/s
[GDDR7] 256-bit @ 32 Gbps: 1.00 TB/s
[GDDR7] 384-bit @ 32 Gbps: 1.53 TB/s
[GDDR7] 256-bit @ 37 Gbps: 1.18 TB/s
[GDDR7] 384-bit @ 37 Gbps: 1.79 TB/s
