在即将于 2024 年 2 月举行的 IEEE 固态电路会议（SSCC）上，三星并不是唯一一家展示其最新技术的韩国存储器巨头，SK海力士也将加入其中，展示其易失性和非易失性存储器产品线的竞争技术。
首先，SK 海力士将是继三星之后第二家展示 GDDR7 存储器芯片的公司。SK Hynix 芯片的速度为 35.4 Gbps，低于三星展示的 37 Gbps，但密度同样为 16 Gbit。这种密度允许在 256 位内存总线上部署 16 GB 视频内存。并不是所有的下一代 GPU 都能达到 37 Gbps 的最高速度，有些可能会以更低的显存速度运行，SK 海力士的产品线中也有合适的选择。
与三星一样，SK Hynix 也采用了 PAM3 I/O 信号和专有的低功耗架构（不过该公司没有详细说明是否与三星芯片的四种低速时钟状态类似）。
GDDR7 势必会在下一代游戏和专业视觉领域的显卡中占据主导地位；然而，人工智能 HPC 处理器市场仍将主要依靠 HBM3E。SK Hynix 在这方面进行了创新，并将展示全新的 16 层 48 GB（384 Gbit）HBM3E 堆栈设计，单个堆栈的速度可达 1280 GB/s。拥有四个这样堆栈的处理器将拥有 192 GB 内存，带宽为 5.12 TB/s。该堆栈采用了全功耗 TSV（硅通孔）设计和 6 相 RDQS（读取数据队列选通）方案，以优化 TSV 面积。
最后，SK Hynix 还将在会上首次演示其面向智能手机、平板电脑和轻薄笔记本电脑的 LPDDR5T（LPDDR5 Turbo）内存标准。由于采用了专有的寄生电容降低技术和电压偏移校准接收器技术，该芯片可实现每引脚 10.5 Gb/s 的数据传输速率和 1.05 V 的 DRAM 电压。
