Arm公司和三星公司本周宣布了针对Arm下一代Cortex通用CPU内核以及三星下一代工艺技术（采用全栅极GAA多桥沟道场效应晶体管MBCFET）的联合设计技术共同优化（DTCO）计划。
根据该计划，两家公司的目标是为各种应用（包括智能手机、数据中心、基础设施和各种定制的片上系统）提供基于三星 2 纳米级工艺技术的定制版 Cortex-A 和 Cortex-X 内核。目前，这两家公司还没有透露他们的目标是为三星第一代 2 纳米生产节点 SF2（将于 2025 年推出）共同优化 Arm 的 Cortex 内核，还是计划为所有 SF2 系列技术（包括 SF2 和 SF2P）优化这些内核。
通道四面都被栅极包围的 GAA 纳米片晶体管有很多优化选择。例如，可以拓宽纳米片沟道以增加驱动电流并提高性能，或者缩小沟道以降低功耗和成本。根据不同的应用，Arm 和三星将有大量的设计选择。
考虑到面向各种应用的 Cortex-A 内核，以及专为提供最高性能而设计的 Cortex-X 内核，双方合作的成果将是相当可观的。尤其期待性能最大化的 Cortex-X 内核、性能和功耗最优化的 Cortex-A 内核以及功耗更低的 Cortex-A 内核。
如今，Arm 等 IP（知识产权）开发商与三星代工厂等代工厂之间的合作对于最大限度地提高性能、降低功耗和优化晶体管密度至关重要。与 Arm 的合作将确保三星的代工合作伙伴能够获得完全符合他们需求的处理器内核。