高通公司（Qualcomm）正在按计划向其手机合作伙伴提供骁龙 8 Gen 4，以赶上该公司在10 月份发布旗舰芯片组。最新的传言称，SoC 将于 4 月份定型，样品预计将于 6 月份交付给 OEM 厂商。这将为各公司的产品研发提供充足的时间，为明年采用高通公司首款3纳米芯片的高端智能手机做好准备。该传言还深入探讨了骁龙 8 Gen 4 的规格。
大部分细节此前已有报道，但@negativeonehero还是为那些不了解情况的人提供了一份摘要。从韩国论坛 DC Inside 上获得的信息显示，骁龙 8 Gen 4 的主频为 4.00+ GHz，为部分厂商定制的超频版也有可能出现。下一代三星 Galaxy 旗舰机型的骁龙 8 Gen 4 很可能会采用这种略有升级的配置，不过爆料者并未提及这一点。
骁龙 8 Gen 4 之前据说测试频率为 4.00GHz，传言将采用台积电的 3 纳米"N3E"工艺量产，最新消息称该芯片的功耗仍然相对较高。功耗高的原因可能是芯片组在测试时没有使用高效内核，因为早些时候曾提到只使用高性能内核。这种 CPU 集群将提供令人印象深刻的多核性能，但代价是功耗飙升。
目前尚不清楚骁龙 8 Gen 4 是否会比骁龙 8 Gen 3 消耗更多的功率，但传言称，即将推出的芯片组的 AI 和 DSP 计算性能将是前代产品的近两倍。最新信息还提到了 Adreno 830 GPU，我们之前也讨论过它，并分享了据称的性能数据，据说该图形处理器在 3DMark Wild Life Extreme 中比苹果的 M2 更快。
当然，这些数据只有在第一批基于消费者的性能样本出现在未来的基准测试结果中时才能得到验证。在此之前，我们建议读者谨慎对待所有这些数据。