有多名知情人士透露，随着芯片制造竞赛的升级，三星电子计划采用竞争对手SK海力士的技术。目前市场对于HBM（高带宽存储）芯片的需求越来越大，然而与竞争对手SK海力士和美光相比，三星却失去了英伟达的大单。
分析人士普遍认为，三星之所以丢掉大单，很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜（NCF）芯片工艺；而SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）工艺，则有效解决了NCF技术的弊端。
分析师认为，三星HBM3芯片的良率表现并不理想，仅维持在10-20%的水平；相比之下，其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。
无奈之下，三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺，而非此前坚持的NCF技术。
知情人士称，三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单，还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。
但尽管如此，由于需要进行更多的测试和优化，三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。
