据报道，JEDEC 已经放宽了 HBM4 存储器参与者的限制，从而有可能提高 16-Hi 设计的开发效率。JEDEC 放宽了三星、SK 海力士和美光等制造商的 HBM4 厚度阈值，16-Hi 堆栈不再需要混合键合技术
HBM4 是内存领域的下一个大事件，每家公司都参与了该内存类型的最有效开发，因为它最终将为下一代市场的成功奠定基础。
据 ZDNet Korea报道，为了帮助制造商，JEDEC 决定将 12 层和 16 层 HBM4 堆栈的 HBM4 封装厚度降低到 775 微米，因为更高的厚度水平会带来复杂性，而且与该工艺相关的需求也非常值得期待。
此外，据说制造商以前曾采用混合键合工艺这种较新的封装技术来减少封装厚度，因为这种工艺使用板载芯片和晶片直接键合。
不过，由于 HBM4 内存将是一项新技术，预计采用混合键合技术将导致整体价格上涨，这意味着下一代产品将更加昂贵，但混合键合技术的使用还不确定，因为 HBM 制造商可能会利用 JEDEC 做出的"放宽"。
至于我们何时能看到基于HBM4的产品亮相，SK hynix计划在2026年实现量产，最初的样品预计每堆栈容量高达36 GB。
众所周知，HBM4 将彻底改变人工智能市场的计算性能，因为这种内存类型将采用"革命性"的板载芯片配置，把逻辑和半导体结合到单个封装中。由于台积电和 SK hynix 最近建立了联盟，HBM 和半导体市场有望在合作的环境中发展。