TrendForce报告称，由于HBM的高平均售价和盈利能力，内存领域发生了大量资本投资。 高级副总裁 Avril Wu 指出，到 2024 年底，DRAM 行业预计将分配约 250K/m (14%) 的总产能用于生产 HBM TSV，预计年度供应位增长约为 260%。 此外，HBM 在 DRAM 行业的收入份额（2023 年约为 8.4%）预计到 2024 年底将增至 20.1%。
Wu解释说，就HBM和DDR5的生产差异而言，HBM的裸片尺寸通常比相同工艺和容量的DDR5大35-45%（例如，24Gb与24Gb相比）。 HBM的良率（包括TSV封装）比DDR5大约低20-30%，生产周期（包括TSV）比DDR5长1.5到2个月。
由于 HBM 从晶圆开始到最终封装的生产周期较长，需要两个季度以上，因此渴望充足供应的买家需要提前锁定订单。
TrendForce获悉，2024年大部分订单已提交给供应商，除非验证失败，否则不可取消。三星和 SK hynix 的 HBM 生产计划在今年年底前最为激进。预计到年底，三星的HBM总产能将达到13万片左右（包括TSV）；SK hynix约为12万片，但产能可能会根据验证进度和客户订单而变化。
关于目前主流 HBM3 产品的市场份额，SK hynix 占据了 HBM3 市场 90% 以上的份额，而随着 AMD 的 MI300 在未来几个季度的逐步发布，三星预计将紧随其后。