英特尔与五角大楼深化合作 开发世界最先进芯片

这家芯片制造商今天早些时候表示，有了 RAMP-C，美国政府将能够首次获得领先的芯片制造技术。

RAMP-C 计划的第三阶段将涵盖英特尔未来的 18A 制造工艺制造的原型。这些高端芯片制造工艺通常用于消费类处理器，因为它们在运行计算和图形重型应用时需要耗费大量电能。

为国家安全应用制造 18A 芯片是英特尔与其 DIB（国防工业基地）客户合作的一部分。这些客户包括承包商诺斯罗普-格鲁曼公司（Northrop Grumman）和波音公司（Boeing），以及微软（Microsoft）、英伟达（NVIDIA）和国际商业机器公司（IBM）等消费企业。

该技术是英特尔的下一代工艺节点，根据公司高管此前的声明，其前身（即 20A 工艺）应于 2024 年投入生产。去年年底，英特尔公司首席执行官帕特里克-盖尔辛格（Patrick Gelsinger）透露，18A 工艺已提前实现量产。

与此同时，英特尔还发布了一份2022年12月的路线图，两个月后，英特尔又发布了另一份路线图，详细说明了18A工艺可在2024年下半年实现风险生产（或英特尔所称的制造准备就绪）。RAMP-C合同的第三阶段强调了英特尔18A工艺技术、知识产权（IP）和生态系统解决方案，为大批量生产（HVM）做好了准备。

盖尔辛格还宣传英特尔 18A 芯片卓越的电源管理能力，将其与台湾半导体制造公司（TSMC）的 2 纳米技术相提并论。继Intel 3工艺之后，英特尔的芯片工艺技术术语已转向埃米级。

这意味着，纯粹根据其营销名称进行比较，18A 芯片工艺相当于 1.8 纳米。在芯片制造中，越小越好，因为更小的电路能够提高导电性和性能吞吐量。现代芯片在极小的空间内挤下了数十亿个晶体管，与前代产品相比，可以处理更多的数据。

作为今天发布会的一部分，国防部微电子工程负责人 Dev Shenoy 博士评论说，五角大楼预计"在 2025 年展示英特尔 18A 芯片的原型生产"。英特尔代工厂 RAMP-C 的第三阶段将集中于芯片设计的敲定。这是设计流程的最后阶段，工程师们将完成流程中的概念部分，并将工作转向在生产流程中指导先进芯片制造设备的掩模。

本月早些时候，英特尔公司首次开启了世界上最先进的芯片制造设备。这些被称为高 NA EUV 的机器将简化设计流程，从而缩短芯片制造时间。