SK海力士正在评估东京电子最新的低温蚀刻设备，该设备可以在-70℃的低温下运行，用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。据了解，SK海力士此次并未直接引进设备，而是选择将测试晶圆发送到东京电子的实验室进行评估，以验证新设备在生产中的实际表现。这一举措显示了SK海力士在新技术引入上的谨慎态度和对质量的严格把控。
与传统的蚀刻工艺相比，东京电子的这款低温蚀刻设备在工作温度上形成了鲜明对比。传统蚀刻工艺通常在0℃到30℃的温度范围内进行，而这款新设备能在-70℃的低温下运行，这样的低温环境为生产更高性能的3D NAND提供了可能。
据东京电子提供的论文数据，这款新的蚀刻机能在短短33分钟内完成10微米深的高深度比蚀刻，效率比现有工具高出三倍以上。这一显著的技术进步不仅提高了3D NAND的生产效率，还有望进一步推动闪存技术的发展。
目前，SK海力士的321层3D NAND采用了三重堆栈结构。而采用东京电子的新设备后，该公司可能实现以单堆栈或双堆栈的方式构建400层的3D NAND，这将进一步提升生产效率。然而，这一目标的实现还需等待新设备在可靠性及性能一致性方面的进一步验证。
值得一提的是，东京电子的这款低温蚀刻设备在环保方面也表现出色。它采用氟化氢（HF）气体作为蚀刻介质，相较于传统系统使用的氟碳化物气体，具有更低的温室效应，为半导体行业的绿色发展提供了有力支持。
此外，全球半导体巨头三星也在验证这一新技术。与SK海力士不同，三星选择了直接引进东京电子的新设备进行测试，显示出其对新技术的高度关注和积极态度。
