三星宣布，3nm芯片顺利流片，为芯片的大规模量产做好了准备。据悉，三星与Synopsys公司合作，双方对整个芯片制造过程进行微调，从而最大限度提升芯片良率。这是三星第一款3nm芯片，它采用Gate All Around（GAA）工艺，三星GAA设计被称为MCBFET，即多信道桥式FET。
三星称，与传统3nm芯片相比，自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%，性能也将得到改善，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。
按照计划，三星接下来会大规模生产下一代Soc，这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500，Galaxy S25系列将会首发搭载，其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天玑9400，后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。
除了旗舰手机，三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。