TrendForce 报告称，三大 DRAM 供应商正在增加先进工艺的晶圆投入。随着存储器合同价格的上涨，各公司纷纷加大了资本投资力度，今年下半年将重点扩大产能。预计到今年年底，1α nm 及以上工艺的晶圆投入量将占 DRAM 晶圆总投入量的 40% 左右。
HBM 的生产将因其盈利能力和不断增长的需求而得到优先考虑。然而，约 50-60% 的有限产量和比 DRAM 产品大 60% 的晶圆面积意味着需要更高的晶圆投入比例。根据各公司的 TSV 容量，预计到今年年底，HBM 将占先进工艺晶圆投入的 35%，其余晶圆容量将用于 LPDDR5(X) 和 DDR5 产品。
关于HBM的最新发展，TrendForce指出，HBM3e将成为今年的市场主流，出货量将集中在下半年。目前，SK hynix 和美光仍是主要供应商，两者都采用 1beta 纳米工艺，并已向英伟达出货。采用 1Alpha nm 工艺的三星公司预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。
除了 HBM 需求的比例不断增加外，个人电脑、服务器和智能手机的单位容量不断增长也推动了先进工艺产能的逐季增长。其中，服务器的产能增幅最大，主要是由单位容量达 1.75 TB 的人工智能服务器推动的。随着英特尔蓝宝石 Rapids 和 AMD Genoa 等需要 DDR5 内存的新平台的量产，预计到今年年底，DDR5 的渗透率将超过 50%。
同时，由于 HBM3e 的出货量预计将集中在下半年，而下半年又是内存需求的旺季，因此市场对 DDR5 和 LPDDR5(X) 的需求预计也将增加。不过，由于 2023 年出现财务亏损，制造商对产能扩张计划持谨慎态度。总体而言，由于 HBM 生产的晶圆投入比例较高，先进工艺的产出将受到限制。因此，下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。
如果不充分扩大先进工艺的产能，对 HBM 生产的更多关注可能会导致 DRAM 供应短缺。目前，新工厂计划如下：三星预计到 2024 年底，现有设施将全部使用完毕。新的 P4L 工厂计划于 2025 年完工，而 15 号生产线工厂将从 1Y 纳米工艺过渡到 1beta 纳米及以上工艺。SK hynix 的 M16 工厂的产能预计将在明年扩大，而 M15X 工厂也计划于 2025 年竣工，并在明年年底开始量产。美光在台湾的工厂将于明年恢复满负荷生产，未来的扩产重点将放在美国。博伊西工厂预计将于 2025 年竣工，随后进行设备安装，并计划于 2026 年量产。
TrendForce 指出，虽然新工厂计划于 2025 年竣工，但量产的确切时间表仍不确定，取决于 2024 年的盈利情况。这种依靠未来利润为进一步购买设备提供资金的做法，加强了制造商今年维持内存涨价的决心。此外，英伟达（NVIDIA）将于 2025 年量产的 GB200 将采用 HBM3e 192/384 GB，有可能使 HBM 产量翻番。随着 HBM4 的开发在即，如果不在扩大产能方面进行大量投资，HBM 的优先发展可能会导致 DRAM 因产能限制而供应不足。