在半导体行业谣言四起的这个月，来自韩国的最新报道显示，AMD 可能会与三星合作，购买后者的 3 纳米半导体制造工艺技术。三星和台积电是世界上唯二为 AMD 和英伟达（NVIDIA）等公司提供现成芯片生产线的公司。它们的最新工艺都是 3 纳米节点，虽然名称相似，但晶体管的设计却不同。台积电计划在未来使用纳米片晶体管，其产品则依赖于可靠的 FinFET 工艺。
相比之下，三星为客户提供了使用更新的全周栅极（GAAFET）晶体管的能力，这种晶体管可以让芯片设计人员改善产品内部的电力流动，但也有一些缺点。
据《韩国经济日报》报道，三星和 AMD 预计将深化合作，利用 3 纳米工艺技术生产下一代芯片。目前，由于只有苹果公司的 Mac 系列使用台湾台积电生产的芯片，因此大多数个人电脑都无法使用这种技术生产的芯片。
三星的 3 纳米与台积电的 3 纳米不同，因为它使用的是栅极环绕（GAAFET）晶体管。GAAFET 是一种升级版晶体管设计，优于 FinFET，它允许设计人员改进电流量，因为改进后晶体管的沟道可以完全被栅极环绕。
GAAFET 晶体管使用纳米线或纳米片导电。这些都需要对导线或薄片进行权衡。虽然导线提高了效率，但其较小的面积限制了它们在某些产品（如应用处理器）中的应用。另一方面，纳米片允许更多电流流过，但传导效率却有所降低。
三星代工厂的图表显示了晶体管从 FinFET 到 GAAFET 再到 MBCFET 的演变过程。 图片：三星电子
报道援引 AMD 首席执行官苏姿丰（Lisa Su）最近在比利时举行的一次会议上分享的 GAAFET 晶体管优于 FinFET 晶体管的观点，证明两家公司有意深化合作关系。据《韩国经济日报》报道，苏姿丰介绍了她的公司采用全方位栅极技术批量生产 AMD 下一代产品的计划。
由于三星是世界上唯一一家生产 3 纳米 GAAFET 产品的公司，分析家们认为，苏的评论是这家韩国公司生产 AMD 新芯片的线索，他还认为 3 纳米 GAAFET 在性能和效率方面都优于以前的技术。
合同半导体制造行业目前的态势是三星和英特尔与台积电对峙。台积电在市场上占据主导地位，而它的两个大型竞争对手正忙于采用新技术，以确保在实力雄厚的竞争对手面前取得优势。
英特尔正在研究名为高 NA EUV 的先进芯片制造设备，看能否降低制造成本和复杂性。另一方面，三星不仅比台积电更早开始生产 3 纳米产品，还在其产品路线图中更早引入先进的 GAAFET 晶体管，试图从台湾公司手中夺走 3 纳米产品的市场份额。
另一方面，台积电多年来一直强调可以使用传统的 EUV 机器制造芯片，并宣布将在其 2 纳米工艺中改用纳米片晶体管。栅极周围晶体管也是更小特征尺寸的结果，因为这些晶体管越小，制造商在制造 FinFET 时就越困难。