在加利福尼亚州圣何塞举办的2024年三星晶圆代工论坛年度博览会上,三星公布了最新的半导体芯片工艺路线图。三星宣布将在2025年量产2nm芯片,计划在2027年量产1.4nm芯片,其中三星的2nm工艺布局了多个节点,第一代2nm工艺是SF2,后续三星又布局了SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等多个节点。
据悉,三星第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪,最先进的2nm工艺节点SF2Z将于2027年量产商用,它采用先进的后端供电网络(BSPDN)技术,可以提高电源效率。
值得注意的是,三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构,具有独特的外延和集成工艺,与基于FinFET的工艺技术相比,晶体管性能提升了11%-46%,可变性降低26%,同时漏电降低约50%。
值得注意的是,在今年2月,三星宣布与Arm展开合作,提供基于最新的GAA晶体管技术,优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核,尽可能地提高了性能和效率。