此前有消息称，台积电2nm制程工艺将于本周试产，苹果将独占首批产能，用于制造iPhone 17用芯片。不仅如此，消息称台积电下一代3D封装先进平台SoIC（系统整合芯片）也规划用于苹果M5芯片，预计将在2025年量产，SoIC月产能将从当前的4000片至少扩大一倍，2026年有望实现数倍增长。海外机构预测，苹果M5芯片有望大幅提升计算性能，可用于人工智能（AI）服务器。
随着SoC（系统级芯片）越来越大，未来12英寸晶圆恐怕只能制造一颗芯片，但这对晶圆代工厂的良率及产能是重大挑战。以台积电为首的生态，试图通过SoIC立体堆叠封装技术，来避免单颗芯片面积持续扩大带来的弊端，且能够满足SoC芯片对于晶体管数量、接口数、传输质量及运行速度的要求。
台积电示意图：a为传统SoC，b、c、d为SoIC不同方案
台积电3D封装中的TSMC-SoIC技术包含多种形态（Chip on Wafer、Wafer on Wafer），可将多颗同构或异构小芯片垂直、水平紧密堆叠，集成为一颗类似单颗SoC的芯片。随后，这种SoIC可进一步通过CoWoS、InFO_PoP等封装技术，与HBM等DRAM芯片进行组合。
业界指出，SoIC的关键——混合键合技术（Hybrid Bonding）是未来AI/HPC芯片互联的主流革命性技术，英伟达与AMD目前都在寻求SoIC混合键合间距降至6μm~4.5μm，目前台积电的技术能力为10μm及以下。
台湾业界表示，AMD MI300系列芯片为率先导入SoIC封装的产品，虽仍处于良率爬坡阶段，但其余大厂皆十分感兴趣。观察今年台积电各大客户动态，除争取3nm抢下更多产能外，也参考CoWoS发展经验，对SoIC封装技术展现高度兴趣。