英国QuInAs Technology近日宣布，公司已获得Innovate UK基金会的110万英镑（约合1038万元人民币）资助，用于推动UltraRAM内存技术的量产化进程。这笔资金将用于将UltraRAM晶圆直径由3英寸扩大到6英寸，下一阶段目标是在完整的8英寸晶圆上制造，然后将该工艺转化为适合晶圆厂的工业工艺。
这项技术由英国兰开斯特大学和华威大学的物理学家共同开发，旨在将非易失性闪存NAND与易失性内存RAM的优势结合，创造出一种超高效、高耐用性的新型存储解决方案。
UltraRAM的核心优势在于其超长的写入寿命和数据保持能力，QuInAs声称，UltraRAM技术最高可承受1000万次的重写循环，同时存储到UltraRAM单元中的电荷可以保持1000年不泄露。
同时UltraRAM的能效比DRAM高出100倍，比3D NAND高出1000倍。
UltraRAM的创新之处在于其三层浮动阀的设计，由砷化铟和锑化铝（InAs/AlSb）材料制成，这种结构不仅确保了能源效率，还提供了优秀的数据保护。
在读取操作中，UltraRAM采用非破坏性方式，电子在共振时穿过三重势垒进入单元，擦除过程中则以相同的方式退出，这种机制使得写入过程极为节能。
