让华为得以摆脱美国贸易禁令的麒麟 9000S 采用中芯国际的 7 纳米（N+2）技术批量生产，而华为 Pura 70 系列中的麒麟 9010则保持了这一势头。关于 Mate 70 系列，传言已从多个方向传播，有小道消息称这家前中国巨头将使用中芯国际的 5 纳米工艺，据说该半导体制造商已成功开发出这种工艺。然而，华为的计划似乎出现了转折，一则传言称，为 Mate 70 系列提供动力的下一代麒麟 SoC 将采用中芯国际的 N+3 工艺批量生产，该工艺与 N+2 工艺相比密度更高。
新的麒麟系统芯片可能依然仅限于中芯国际的 7 纳米工艺，但采用了更多的晶体管，与之前发布的芯片组相比具有一些优势。
此前有传言称，Mate 70 系列不会过渡到中芯国际的 5nm 工艺，麒麟 9100 预计将继续沿用 7nm工艺。虽然这听起来令人无比失望，但华为做出这一决定很可能有其现实原因。用老式的 DUV 机器而不是 EUV 设备批量生产 5nm 晶圆意味着生产成本会很高，产量会很低。简而言之，中芯国际生产基地每一块 5nm 晶圆的成本都将非常昂贵，因此华为可能认为，在智能手机芯片组上使用这种技术的成本并不划算。这一挫折意味着麒麟 9100 可以采用 7 纳米工艺制造，但使用 N+3 节点，其密度可以高于麒麟 9010 和麒麟 9000S。这一改进意味着麒麟 9100 将拥有更多的晶体管，从而获得更好的"每瓦性能"和更高的能效。
除了即将为 Mate 70 系列提供动力的芯片外，据传华为也在为其基于 ARM 的硬件测试相同的 N+3 技术。遗憾的是，在光刻技术方面，华为可能无法快速弥补性能差距，台积电的第一波 3 纳米"N3E"芯片组（如骁龙 8 Gen 4、Dimensity 9400 和苹果的 A18）将于今年晚些时候推出。