三星下一代HBM4存储器将于2025年底投入量产 下季度完成流片

2024年08月20日 07:57 次阅读 稿源:cnBeta.COM 条评论

三星希望在下一代 HBM4 内存市场占据领先地位,因为这家韩国巨头将在今年年底前推出这种尖端技术。在人工智能热潮的推动下,HBM 产业发展迅速,需求飙升至新的水平。这促使三星和 SK hynix 等公司不断开发 HBM 产品,以迎合目前市场上正处于高峰期的创新需求。

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有趣的是,除了这家韩国巨头正在开发 HBM4 内存之外,我们从未真正获得过有关三星 HBM4 内存的最新消息,但来自The Elec的一份最新报告披露了三星下一款 HBM 产品的相关细节,声称该产品已准备就绪,将于 2025 年底量产。

据悉,三星已经启动了围绕 HBM4 的初步工作,预计这家韩国巨头将在 2024 年第四季度进入流片阶段。流片通常意味着特定产品的设计和生产方法已经敲定,有鉴于此,我们可以断定三星的HBM4内存将于明年在市场上亮相。

三星的 HBM4 预计也将很快进入产品出样阶段,虽然我们还不知道该公司的客户是谁,但显而易见英伟达(NVIDIA)和 AMD 将是其中的最大潜在买主。

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谈及三星的 HBM4 规格,据说该公司将在其中整合逻辑芯片和半导体芯片,这是业界为提高 HBM 功能而发现的一条新路。据透露,这家韩国巨头将从代工部门采用自己的 4 纳米工艺,并将使用 10 纳米第 6 代 1c DRAM,这是市场上众所周知的最高端产品之一。有趣的是,据传 SK hynix 也决定采用 1c DRAM,这与三星的战略不谋而合,因此竞争非常激烈。

HBM4 将在未来的计算市场发挥巨大作用,因为它有望被整合到主流的下一代人工智能产品中,如英伟达的 Rubin 架构和 AMD 的 MI400 系列。

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