尽管华盛顿竭力限制中国的技术创新，但中国方面还是想方设法决心提高其芯片制造能力。对主导地位的争夺使半导体行业成为工业间谍活动的温床。两名前三星公司高管的被捕表明，这些盗窃活动已变得多么精心策划。
韩国当局以工业间谍罪逮捕了两名前三星电子高管。这次逮捕尤其令人震惊，因为这两人涉嫌参与了一项精心策划的计划，在中国复制了整个芯片制造工厂。
对外披露的这两名犯罪嫌疑人的身份信息只有Choi和Oh两个姓氏，他们被指控从三星窃取了价值32亿美元的半导体技术。据称，他们与中国官员合作成立了一家名为成都高真科技的合资企业，该企业将利用三星先进的芯片制造能力建立一家工厂。
据说，现年 66 岁的三星前高管 Choi 招募了韩国半导体专家，并协助泄露了专有内存技术。曾任三星高级研究员的 Oh 加入成都高真科技公司担任首席工厂设计师，据说他在被指控的技术盗窃案中发挥了关键作用。
他们所追求的技术是三星的 20 纳米 DRAM（动态随机存取存储器）。根据警方的说法，犯罪嫌疑人窃取了这种先进存储芯片的蓝图，并设法早在 2022 年 4 月就开发出了基本产品。
随着调查的继续，当局正在调查其他前三星员工在加入成都高真后是否可能窃取了知识产权。
韩国当局将这一事件描述为严重的国家安全漏洞，指出它损害了三星的利益，也削弱了韩国在正在进行的全球芯片大战中的竞争力。
这些逮捕事件发生在中美两国因半导体技术问题紧张局势升级之际。与此同时，韩国发现自己必须在作为华盛顿重要盟友的角色之间取得平衡，而华盛顿既要限制北京的技术野心，又要保持与中国的经济联系。
这起案件与韩国一家科技公司员工因窃取商业机密被捕的类似事件如出一辙。去年 5 月，SK hynix 一名前员工在韩国机场被捕，原因是她在离职前打印了 3000 页半导体工艺数据。检察官称她打算将这些文件交给华为，但这名中国人否认了所有指控。