英飞凌推出全球首款12英寸GaN晶圆 效率更高、成本更低

2024年09月12日 14:28 次阅读 稿源:快科技 条评论

半导体巨头英飞凌科技近日宣布,公司已成功研发出全球首款300毫米(约12英寸)功率氮化镓(GaN)晶圆技术。与现有的200毫米晶圆相比,300毫米晶圆技术意味着在单个晶圆上可以制造更多的芯片,从而提高了生产效率和规模经济。

这一技术进步不仅能够增加每晶圆的芯片产量,达到2.3倍,同时也有助于降低生产成本,使得氮化镓技术更加经济高效。

氮化镓功率半导体因其在效率、尺寸和重量方面的优势,在工业、汽车、消费电子、计算和通信应用中得到快速采用。

据悉,英飞凌将在2024年11月在慕尼黑举行的电子展上展示其300毫米GaN技术。

公司已经在奥地利菲拉赫的功率工厂成功制造了300毫米GaN晶圆,并计划根据市场需求进一步扩大产能。

英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示:“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果,旨在展示我们作为氮化镓和电源系统创新领导者的地位。这项技术突破将改变行业游戏规则,使我们能够释放氮化镓的全部潜力。”

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