Intel获美国政府30亿美元资金 史上最先进18A工艺2025年投产

Intel联邦总裁兼总经理克里斯·乔治表示：“Intel很自豪能够与美国国防部持续合作，帮助加强美国的国防和国家安全系统。今天的声明凸显了我们与美国政府的共同承诺，即加强国内半导体供应链，并确保美国在先进制造、微电子系统和工艺技术方面保持领先地位。”

Intel CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）表示，作为唯一一家同时设计和制造尖端芯片的美国公司，我们将帮助确保国内芯片供应链的安全。

Intel还透露，其代工厂即将完成历史性的设计和工艺技术创新，其最先进的技术——Intel 18A——有望在2025年投入生产。

Intel开发和生产了许多世界上最先进的芯片和半导体封装技术，目前正在亚利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒冈州的工厂推进关键的半导体制造和研发项目。

Intel称，与美国政府的密切合作由来已久。2020年，Intel获得SHIP计划第二阶段的授权，使美国政府能够使用Intel在亚利桑那州和俄勒冈州的先进半导体封装能力，并利用Intel每年大量的研发和制造投资。

2023年，Intel成功交付了SHIP计划下的首批多芯片封装原型，这是确保获得尖端微电子封装并为国防部现代化铺平道路的重大成就。

据了解，18A是Intel雄心勃勃的“五年，四个节点 (5Y4N)”路线图的巅峰之作。

该工艺采用创新设计，将环栅 (GAA) 晶体管技术RibbonFET与背面供电技术PowerVia相结合。

RibbonFET能够精确控制晶体管沟道中的电流，在减少功耗方面发挥着重要作用，同时还能实现芯片组件的进一步小型化。

另一方面，PowerVia将电源与晶圆表面分离，优化信号路径并提高电源效率。这些技术的结合预计将显着提高未来电子设备的计算性能和电池寿命。