台湾半导体巨头台积电将在 2024 年底之前从 ASML 接收首批High-NA秒级 EUV 光刻设备，这标志着台积电将向下一代工艺过渡。半导体竞赛中的"三巨头"三星、英特尔和台积电都希望获得 ASML 的High-NA设备。
最初有消息称，台积电并没有收购 ASML High-NA技术的计划，主要原因是在台积电的台湾工厂整合设备和安置机器的相关成本较高。 但是，此前的一份报告披露，台积电的设施升级计划正在按部就班地进行，以保持行业平衡。
《日经亚洲》报道称，台积电的High-NA设备预计将于今年交付，这家台湾巨头可能将成为首批获得该设备的公司之一。 据悉，台积电将接收 ASML 的 Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻设备，其分辨率为 8 纳米，EUV 光波长为 13.5 纳米。 该系统将使芯片制造商生产的芯片体积缩小 1.7 倍，晶体管密度提高 2.9 倍。 ASML表示，Twins can EXE:5000拥有业界最高的生产率，因此对于这家台湾巨头来说，是成为下一个大赢家的必由之路。
台积电购买单单一台这种机器的成本就高达约 3.5 亿美元，在实施方面，台积电的High-NA EUV将在该公司计划于2027年量产的1.4纳米（A14）工艺中大显身手。考虑到英特尔正计划购买五到六台高NA EUV设备，后者也正全力以赴发展下一代工艺。