SK海力士开始量产全球首个321层NAND闪存芯片

2024年11月21日 09:27 次阅读 稿源:环球市场播报 条评论

韩国芯片巨头SK海力士公司周四表示,已开始批量生产业界首个基于三层单元的321层NAND闪存芯片。NAND闪存是一种非易失性存储介质,广泛用于存储卡、USB驱动器、固态驱动器(SSDs)和智能手机中,用于一般存储和传输数据。它垂直堆叠存储单元,分为单层、多层、三层和四层存储单元。

SK-hynix_321-layer_4D_NAND_01.png

SK海力士表示,这标志着继去年6月进入量产的238层NAND闪存获得成功后,该公司成为世界上第一家300层以上的NAND闪存供应商。

该公司表示,计划从明年上半年开始向客户交付321层的产品。

SK-hynix-321-Fig-1.jpg

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