三星正在重新设计其 1c DRAM 工艺以提高良品率

根据ZDNet韩国的报道，三星自2024年下半年以来一直在评估其尖端DRAM工艺的设计，该公司现在已经重新设计了其高端1c DRAM，以确保其即将推出的HBM工艺能够得到业界的采用，而不像HBM3衍生产品在与英伟达等公司整合时遇到巨大障碍。

报道称，三星最先进的 DRAM 工艺没有达到目标良品率，据说约为 60%-70%，这也是这家韩国巨头无法进入量产阶段的原因。 据称，主要问题在于 1c DRAM 芯片的尺寸，三星最初的重点是缩小尺寸以实现更高的产量，但这意味着该公司要在工艺稳定性上做出妥协，从而导致良品率降低。

三星电子改变了 1c DRAM 的设计，增大了芯片尺寸，并致力于提高良品率，目标是在今年年中实现。 看来他们正专注于下一代内存的稳定量产，即使成本更高。

- ZDNet 韩国

由于 SK 海力士和美光等竞争对手已经完善了自己的HBM4设计，留给三星的时间已经不多了，尤其是在 HBM3 失败之后。

目前，三星第 6 代 DRAM 工艺的发展还存在不确定性，但据称我们可以在未来几个月内看到进展，这有可能使三星的 HBM4 工艺步入量产轨道，预计将于今年年底量产。