3月16日，经济学人发文，ASML的光刻技术正使其成为全球科技博弈的核心。日本竞争对手佳能押注于更简单廉价的技术，试图打破ASML的垄断。但与软件行业领导地位可能数月易主不同，光刻技术的竞赛是场以十年计的马拉松。要超越ASML绝非易事。这场博弈的焦点，是对将塑造未来计算、AI乃至整个科技走向的核心设备的掌控权。
ASML
ASML的尖端设备堪称工程奇迹。其工作原理是向真空室喷射5万滴熔融锡珠。每滴锡珠需经历两次激光冲击：第一次弱激光脉冲将其压扁为微型薄饼，第二次强激光将其汽化。这一过程使锡滴转化为高温等离子体，温度高达22万摄氏度（约为太阳表面温度的40倍），并发射极短波长的极紫外光（EUV）。随后，这种光线经多层超平滑镜面反射，聚焦于载有芯片电路蓝图的掩膜版，最终将设计图案蚀刻到涂有感光化学物质的硅晶圆上。
ASML的设备对现代芯片制造不可或缺。台积电、三星和英特尔等巨头依赖其生产从AI加速器到智能手机芯片的尖端处理器。目前没有其他公司能可靠制造用于7纳米及更先进制程的光刻机。即便在成熟工艺（14纳米及以上）领域，该公司设备市占率也超过90%。
虽然ASML未披露具体数字，但其最新EUV机型价格几乎是前代两倍。Hyper-NA系统将更昂贵。尽管公司强调尚无量产保证，技术总监Jos Benschop认为若需求存在，Hyper-NA设备可能在5-10年内面世。
曾经的行业霸主佳能另辟蹊径，押注纳米压印（NIL）技术。该工艺如同印刷机将电路模板直接压印至晶圆，理论上能以纳米级精度、低成本和小体积挑战EUV。其流程包括电子束刻制母版、液态树脂滴注、紫外光固化等步骤。佳能称其设备成本比EUV低40%，但面临缺陷控制（模板微粒会导致整片晶圆缺陷）、层间对准精度（需纳米级对齐）、生产效率（目前每小时110片，仅为EUV的60%）等挑战。
目前NIL在存储芯片和手机屏幕等领域取得了突破。佳能光学部门负责人岩本和纪认为，NIL可与EUV互补，在非精密环节降低成本。随着技术进步，这种颠覆性工艺或催生更快、更节能的AI芯片。